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SK海力士宣布，将在美国圣克拉拉举行的2023闪存峰会（Flash Memory Summit 2023）上，首次展示了全球首款321层NAND闪存，成为了业界首家开发300层以上NAND闪存的公司。此外，SK海力士还会介绍了包括PCIe 5.0及UFS 4.0相关的新一代NAND闪存解决方案。

这次SK海力士带来的是321层1Tb TLC 4D NAND闪存，首次向外界展示了现阶段开发的样品，并会介绍开发的进展情况。SK海力士表示，会进一步完善321层NAND闪存，初步计划在2025年上半年进入量产阶段。据SK海力士介绍，321层1Tb TLC NAND闪存的效率比上一代238层512Gb提高了59%。这是由于数据存储的单元可以以更多的单片数量堆栈至更高，在相同芯片上实现更大存储容量，进而增加了单位晶圆上芯片的产出数量。

随着近期Chat GPT引发的生成型AI市场的需求增长，存储更多数据的高性能、高容量存储器需求也在急剧增加。SK海力士也在本次活动中，推出了针对这些需求而进行优化的下一代NAND产品解决方案：采用PCIe 5.0接口的企业级固态硬盘（Enterprise SSD, eSSD）及UFS 4.0。SK海力士希望借助这些能够达到世界级领先性能的产品，充分满足追求高性能客户的需求。

此外，SK海力士还透露，正在积极开发下一代PCIe 6.0和UFS 5.0产品，以致力于在未来继续引领市场。